تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
30A (Tc)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
600 V
المورد الجهاز الحزمة
TO-247
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
83 nC @ 10 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
245W (Tc)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.1V @ 250µA
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
95mOhm @ 19A, 10V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
4050 pF @ 100 V