نوع التثبيت
Chassis Mount
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
تكوين
2 N-Channel (Half Bridge)
تكنولوجيا
Silicon Carbide (SiC)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200V (1.2kV)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
200A (Tj)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 240A, 15V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4V @ 75mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1144nC @ 15V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
26.4pF @ 800V
الطاقة - الحد الأقصى
584W (Tj)