CGD65A130SH2
Part Number:
CGD65A130SH2
Category:
-
Manufacturer:
Description:
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
3413
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$8.31
$8.31
10+
$5.63
$56.3
100+
$4.27
$427
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
-
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
650 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
12V
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
12A
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
182mOhm @ 900mA, 12V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.2V @ 4.2mA
Vgs (الحد الأقصى)
+20V, -1V
المورد الجهاز الحزمة
16-DFN (8x8)
الحزمة / العلبة
16-PowerVDFN
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.9 nC @ 12 V
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code