نوع التثبيت
Chassis Mount
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
تكنولوجيا
Silicon Carbide (SiC)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200V (1.2kV)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
100A (Tj)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
14.9mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4V @ 28mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
405nC @ 15V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
10100pF @ 800V
الطاقة - الحد الأقصى
265W (Tj)