CMS120N080B
Part Number:
CMS120N080B
Category:
-
Manufacturer:
Description:
SIC N-MOSFET,1200V,35A,TO-263-7L
Encapsulation:
Package:
Bulk
Quantity:
0
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$20
$20
10+
$14.24
$142.4
100+
$11
$1100
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف
-
التأهيل
-
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
35A (Tc)
المورد الجهاز الحزمة
TO-263-7
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200 V
الحزمة / العلبة
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
188W (Tc)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
20V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4V @ 10mA
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (الحد الأقصى)
+20V, -5V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
90mOhm @ 10A, 20V
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code