DCK30C1200HB
Part Number:
DCK30C1200HB
Category:
-
Manufacturer:
Description:
SIC SCHOTTKY DIODE COMMON CATHOD
Encapsulation:
Package:
Tube
Quantity:
0
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$8.97
$8.97
30+
$5.21
$156.3
120+
$4.39
$526.8
510+
$3.86
$1968.6
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
الصف
-
التأهيل
-
الحزمة / العلبة
TO-247-3
تكوين الصمام الثنائي
1 Pair Common Cathode
درجة حرارة التشغيل - الوصلة
-55°C ~ 175°C
الجهد الأمامي (Vf) (الحد الأقصى) @ If
1.7 V @ 15 A
الجهد - العكسي للتيار المستمر (Vr) (الأعلى)
1200 V
المورد الجهاز الحزمة
TO-247 (IXTH)
التيار - تسرب عكسي @ Vr
100 µA @ 1200 V
تكنولوجيا
SiC (Silicon Carbide) Schottky
السرعة
No Recovery Time > 500mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr)
0 ns
التيار - المعدل المتوسط (Io) (لكل ديود)
44A
Latest Products
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
RECTIFIER, SILICON CARBIDE, 650V
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
RECTIFIER, SILICON CARBIDE, 650V
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code