تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
60 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
4.5V, 10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
3V @ 250µA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 10 V
الحزمة / العلبة
8-PowerVDFN
نوع التثبيت
Surface Mount, Wettable Flank
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
2.7W (Ta)
المورد الجهاز الحزمة
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
18.8A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
60mOhm @ 7A, 10V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
2087 pF @ 30 V