E3M0900170D
Part Number:
E3M0900170D
Category:
-
Manufacturer:
Description:
SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247
Encapsulation:
Package:
Tube
Quantity:
363
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$7.46
$7.46
30+
$4.24
$127.2
120+
$3.53
$423.6
510+
$3.01
$1535.1
1020+
$2.82
$2876.4
2010+
$2.67
$5366.7
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف
Automotive
التأهيل
AEC-Q101
الحزمة / العلبة
TO-247-3
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
4.4A (Tc)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
41W (Tc)
المورد الجهاز الحزمة
TO-247-3
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
15V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1700 V
تكنولوجيا
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (الحد الأقصى)
+19V, -8V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 15 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
1.25Ohm @ 1.99A, 15V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
202 pF @ 1.2 kV
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.5V @ 550µA
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code