EPC2367ENGRT
Part Number:
EPC2367ENGRT
Category:
-
Manufacturer:
Description:
TRANS GAN 100V .0012OHM 5QFN
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
3572
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$7.58
$7.58
10+
$5.11
$51.1
100+
$3.79
$379
حالة القطعة
Active
نوع FET
N-Channel
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
100 V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
-
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
5V
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 5 V
نوع التثبيت
Surface Mount, Wettable Flank
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (الحد الأقصى)
+6V, -4V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.5V @ 10mA
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
78A (Tj)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 30A, 5V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
2170 pF @ 50 V
المورد الجهاز الحزمة
5-QFN (3.3x3.3)
الحزمة / العلبة
5-PowerWQFN
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code