EPC2619
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$5.04
$5.04
10+
$3.33
$33.3
100+
$2.36
$236
500+
$2.19
$1095
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
100 V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
-
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
5V
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / العلبة
Die
المورد الجهاز الحزمة
Die
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.3 nC @ 5 V
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (الحد الأقصى)
+6V, -4V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
1180 pF @ 50 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
29A (Ta)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.5V @ 5.5mA
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 16A, 5V
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code