EPC2619ENGRT
EPC2619ENGRT
EPC2619ENGRT
Part Number:
EPC2619ENGRT
Category:
-
Manufacturer:
EPC
Description:
TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Encapsulation:
Package:
Tape & Reel (TR)
Quantity:
0
RoHS Status:
Supported
Share:
RFQ
Stock
MOQ: 0
Qty
Price
Total
حالة القطعة
Obsolete
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
100 V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
-
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
5V
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / العلبة
Die
المورد الجهاز الحزمة
Die
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.3 nC @ 5 V
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (الحد الأقصى)
+6V, -4V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
1180 pF @ 50 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
29A (Ta)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.5V @ 5.5mA
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 16A, 5V
Latest Products
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-