EPC7014UBSH
EPC7014UBSH
EPC7014UBSH EPC7014UBSH
Part Number:
EPC7014UBSH
Category:
-
Manufacturer:
Description:
GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
Encapsulation:
Package:
Bulk
Quantity:
20
RoHS Status:
Supported
Share:
RFQ
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$255.64
$255.64
10+
$245.2
$2452
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
60 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
-
المورد الجهاز الحزمة
4-SMD
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
5V
الحزمة / العلبة
4-SMD, No Lead
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
1A (Tc)
Vgs (الحد الأقصى)
-
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.5V @ 140µA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
22 pF @ 30 V
Latest Products
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-