FDP8442-F085
FDP8442-F085
FDP8442-F085
Part Number:
FDP8442-F085
Category:
-
Manufacturer:
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Encapsulation:
Package:
Bulk
Quantity:
2350
RoHS Status:
Supported
Share:
RFQ
Stock
MOQ: 180
Qty
Price
Total
180+
$1.84
$331.2
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
نوع FET
N-Channel
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الحزمة / العلبة
TO-220-3
المورد الجهاز الحزمة
TO-220-3
الصف
Automotive
التأهيل
AEC-Q101
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
40 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
254W (Tc)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
23A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 80A, 10V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
235 nC @ 10 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
12200 pF @ 25 V
Latest Products
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-