تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4V @ 250µA
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
المورد الجهاز الحزمة
TO-220-3
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
40 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
254W (Tc)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
23A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 80A, 10V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
235 nC @ 10 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
12200 pF @ 25 V