GCMS008C120S1-E1
Part Number:
GCMS008C120S1-E1
Category:
-
Manufacturer:
Description:
GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBD
Encapsulation:
Package:
Tube
Quantity:
1629
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$46.3
$46.3
10+
$34.65
$346.5
100+
$31.71
$3171
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Chassis Mount
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف
-
التأهيل
-
الحزمة / العلبة
SOT-227-4, miniBLOC
المورد الجهاز الحزمة
SOT-227
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200 V
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
18V
Vgs (الحد الأقصى)
+22V, -8V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
536W (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
12mOhm @ 100A, 18V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
189A (Tc)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4V @ 40mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
506 nC @ 18 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
14085 pF @ 1000 V
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code