GCMS010B120S1-E1
GCMS010B120S1-E1
GCMS010B120S1-E1 GCMS010B120S1-E1
Part Number:
GCMS010B120S1-E1
Category:
-
Manufacturer:
Description:
1700V, 15M SIC MOSFET MODULE, SO
Encapsulation:
Package:
Tube
Quantity:
1606
RoHS Status:
Supported
Share:
RFQ
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$60.39
$60.39
10+
$45.92
$459.2
100+
$44
$4400
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Chassis Mount
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف
-
التأهيل
-
الحزمة / العلبة
SOT-227-4, miniBLOC
المورد الجهاز الحزمة
SOT-227
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
20V
تكنولوجيا
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
204A (Tc)
Vgs (الحد الأقصى)
+25V, -10V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
652W (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
14mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4V @ 40mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
416 nC @ 20 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
10878 pF @ 1000 V
Latest Products
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-