نوع التثبيت
Chassis Mount
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
30A (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 175°C (TJ)
تكوين
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
تكنولوجيا
Silicon Carbide (SiC)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200V (1.2kV)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4V @ 20mA
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
25mOhm @ 40A, 18V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
235nC @ 18V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
6200pF @ 800V
الطاقة - الحد الأقصى
263W (Tc)