GPIXV30DFN
Part Number:
GPIXV30DFN
Category:
-
Manufacturer:
Description:
GANFET N-CH 1200V 30A DFN8X8
Encapsulation:
Package:
Bag
Quantity:
0
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 0
Qty
Price
Total
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
-
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
-
الحزمة / العلبة
Die
المورد الجهاز الحزمة
Die
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200 V
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
30A
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
6V
Vgs (الحد الأقصى)
+7.5V, -12V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
1.4V @ 3.5mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.25 nC @ 6 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
236 pF @ 400 V
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code