IPB175N20NM6ATMA1
IPB175N20NM6ATMA1
IPB175N20NM6ATMA1 IPB175N20NM6ATMA1
Part Number:
IPB175N20NM6ATMA1
Category:
-
Manufacturer:
Description:
IPB175N20NM6ATMA1
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
0
RoHS Status:
Supported
Share:
PDF:
RFQ
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$4.11
$4.11
10+
$2.69
$26.9
100+
$1.88
$188
500+
$1.66
$830
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف
-
التأهيل
-
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
200 V
الحزمة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
39 nC @ 10 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V, 15V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.5V @ 105µA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
3100 pF @ 100 V
المورد الجهاز الحزمة
PG-TO263-3-U01
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 38A, 15V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 203W (Tc)
Latest Products
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-