نوع التثبيت
Surface Mount
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
60 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
-
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.5V @ 250µA
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
4.5V, 10V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
42A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 10A, 10V
الحزمة / العلبة
8-PowerVDFN
المورد الجهاز الحزمة
DFN5060-8