NC1M120C35HTNG
Part Number:
NC1M120C35HTNG
Category:
-
Manufacturer:
Description:
SIC MOSFET 1200V 35M 75A TO247-
Encapsulation:
Package:
Tube
Quantity:
1700
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 50
Qty
Price
Total
50+
$27.76
$1388
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
نوع FET
N-Channel
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
75A (Tc)
الحزمة / العلبة
TO-247-4
المورد الجهاز الحزمة
TO-247-4L
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1.2 kV
Vgs (الحد الأقصى)
+18V, -5V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
50mOhm @ 33.3A, 18V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.5V @ 15mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
190 nC @ 18 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
2834 pF @ 1 kV
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
386W (Ta)
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code