نوع التثبيت
Chassis Mount
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 80°C
طريقة الاستشعار
Through-Beam
تكوين الإخراج
Phototransistor
التيار - تيار مباشر أمامي (If) (أقصى)
50 mA
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى)
30 V
تيار المجمع (Ic) (الأقصى)
1 mA
مسافة الاستشعار
0.900" (22.86mm)
الحزمة / العلبة
Slotted Module, 4-Lead Dual Row