درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200 V
المورد الجهاز الحزمة
TO-247-4L
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
15V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
47A
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
96mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.4V @ 5mA (Typ)
Vgs (الحد الأقصى)
+21V, -8V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
221W