P3M171K0K3
P3M171K0K3
P3M171K0K3
Part Number:
P3M171K0K3
Category:
-
Description:
SICFET N-CH 1700V 6A TO-247-3
Encapsulation:
Package:
Tube
Quantity:
1600
RoHS Status:
Supported
Share:
PDF:
RFQ
Stock
MOQ: 0
Qty
Price
Total
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف
-
التأهيل
-
الحزمة / العلبة
TO-247-3
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
6A
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
15V
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1700 V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.2V @ 2mA (Typ)
Vgs (الحد الأقصى)
+19V, -8V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
68W
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2A, 15V
المورد الجهاز الحزمة
TO-247-3L
Latest Products
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-