درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
6A
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
15V
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1700 V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.2V @ 2mA (Typ)
Vgs (الحد الأقصى)
+19V, -8V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
68W
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2A, 15V
المورد الجهاز الحزمة
TO-247-3L