PJQ5447E-AU_R2_006A1
PJQ5447E-AU_R2_006A1
PJQ5447E-AU_R2_006A1 PJQ5447E-AU_R2_006A1
Part Number:
PJQ5447E-AU_R2_006A1
Category:
-
Description:
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
1600
RoHS Status:
Supported
Share:
RFQ
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$3.04
$3.04
10+
$1.96
$19.6
100+
$1.35
$135
500+
$1.1
$550
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف
Automotive
التأهيل
AEC-Q101
نوع FET
P-Channel
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.5V @ 250µA
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
4.5V, 10V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (الحد الأقصى)
±25V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
9400 pF @ 25 V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
40 V
الحزمة / العلبة
8-PowerVDFN
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
المورد الجهاز الحزمة
DFN5060-8
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
19A (Ta), 120A (Tc)
Latest Products
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-