نوع التثبيت
Surface Mount
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.5V @ 250µA
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
4.5V, 10V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
190 nC @ 10 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
9400 pF @ 25 V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
40 V
الحزمة / العلبة
8-PowerVDFN
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
المورد الجهاز الحزمة
DFN5060-8
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
19A (Ta), 120A (Tc)