نوع التثبيت
Surface Mount
التيار - المعدل المتوسط (Io)
16A
تكنولوجيا
SiC (Silicon Carbide) Schottky
السرعة
No Recovery Time > 500mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr)
0 ns
الجهد - العكسي للتيار المستمر (Vr) (الأعلى)
650 V
الحزمة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
التيار - تسرب عكسي @ Vr
180 µA @ 650 V
الجهد الأمامي (Vf) (الحد الأقصى) @ If
1.8 V @ 16 A
درجة حرارة التشغيل - الوصلة
175°C
المورد الجهاز الحزمة
D2PAK R2P
السعة @ Vr, F
475pF @ 1V, 1MHz