تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
المورد الجهاز الحزمة
TO-220AB
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4V @ 1mA
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
120 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
70A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 25A, 10V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
207.1 nC @ 10 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
11384 pF @ 60 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
405W (Ta)