QS1200SCM36
Part Number:
QS1200SCM36
Category:
-
Manufacturer:
Description:
1200V 36AMP SiC Mosfet
Encapsulation:
Package:
Tube
Quantity:
990
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 50
Qty
Price
Total
50+
$1.38
$69
100+
$1.28
$128
250+
$1.1
$275
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
نوع FET
N-Channel
التأهيل
-
الصف
Automotive
الحزمة / العلبة
TO-247-3
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
2.8V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
36A
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
المورد الجهاز الحزمة
PG-TO247-3
Vgs (الحد الأقصى)
+25V, -10V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
3.8V @ 100µA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 600 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
1001 pF @ 800 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
198W
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code