QS120SCM80D2P
Part Number:
QS120SCM80D2P
Category:
-
Manufacturer:
Description:
1200V N-CHANNEL SIC MOSFET 80 M
Encapsulation:
Package:
Tube
Quantity:
2600
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$10.18
$10.18
10+
$9.89
$98.9
250+
$9.63
$2407.5
500+
$9.08
$4540.01
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف
-
التأهيل
-
الحزمة / العلبة
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
40A (Tc)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
20V
تكنولوجيا
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (الحد الأقصى)
+25V, -10V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
1001 pF @ 800 V
المورد الجهاز الحزمة
D2PAK-7L
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
3.8V @ 5mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 20 V
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code