RH7G04DBKFRATCB
RH7G04DBKFRATCB
RH7G04DBKFRATCB
Part Number:
RH7G04DBKFRATCB
Category:
-
Manufacturer:
Description:
NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
0
RoHS Status:
Supported
Share:
PDF:
RFQ
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$1.14
$1.14
10+
$0.72
$7.2
100+
$0.47
$47
500+
$0.36
$180
1000+
$0.33
$330
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
الصف
Automotive
التأهيل
AEC-Q101
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
4.5V, 10V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
40A (Tc)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
40 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
33W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C (TJ)
الحزمة / العلبة
8-PowerTDFN
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.6 nC @ 10 V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.5V @ 200µA
المورد الجهاز الحزمة
DFN3333T8LSAB
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
12.6mOhm @ 20A, 10V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
345 pF @ 20 V
Latest Products
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-