SICBG040N120H-TP
Part Number:
SICBG040N120H-TP
Category:
-
Manufacturer:
Description:
SIC N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
Encapsulation:
Package:
Tape & Reel (TR)
Quantity:
0
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 800
Qty
Price
Total
800+
$10.59
$8472.01
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف
-
التأهيل
-
الحزمة / العلبة
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
55A (Tc)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
1200 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
20V
Vgs (الحد الأقصى)
+25V, -10V
المورد الجهاز الحزمة
TO-263-7LA
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4V @ 40mA
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
52mOhm @ 30A, 20V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
229 nC @ 20 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
3619 pF @ 800 V
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code