SIJK140E-T1-GE3
Part Number:
SIJK140E-T1-GE3
Category:
-
Manufacturer:
Description:
N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
2228
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$8.31
$8.31
10+
$5.63
$56.3
100+
$4.5
$450
500+
$4.28
$2140
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف
-
التأهيل
-
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
3.5V @ 250µA
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
40 V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
470 nC @ 10 V
الحزمة / العلبة
8-PowerSFN
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
0.47mOhm @ 20A, 10V
المورد الجهاز الحزمة
PowerPAK®10 x 12
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
17W (Ta), 536W (Tc)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
140A (Ta), 795A (Tc)
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
18510 pF @ 20 V
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code