SIRA06DDP-T1-UE3
Part Number:
SIRA06DDP-T1-UE3
Category:
-
Manufacturer:
Description:
N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
5838
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$1.27
$1.27
10+
$0.8
$8
100+
$0.52
$52
500+
$0.41
$205
1000+
$0.37
$370
2000+
$0.34
$680
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
4.5V, 10V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
30 V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.2V @ 250µA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
2330 pF @ 15 V
المورد الجهاز الحزمة
PowerPAK® SO-8
الحزمة / العلبة
PowerPAK® SO-8
Vgs (الحد الأقصى)
+20V, -16V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 15A, 10V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
36A (Ta), 125A (Tc)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
4.6W (Ta), 59W (Tc)
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code