SISS5708DN-T1-BE3
Part Number:
SISS5708DN-T1-BE3
Category:
-
Manufacturer:
Description:
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
5975
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$2.72
$2.72
10+
$1.74
$17.4
100+
$1.18
$118
500+
$0.96
$480
1000+
$0.94
$940
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
150 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
23mOhm @ 10A, 10V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
7.5V, 10V
المورد الجهاز الحزمة
PowerPAK® 1212-8S
الحزمة / العلبة
PowerPAK® 1212-8S
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
975 pF @ 75 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
9.3A (Ta), 33.8A (Tc)
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code