SISS588DN-T1-BE3
Part Number:
SISS588DN-T1-BE3
Category:
-
Manufacturer:
Description:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
6000
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$2.2
$2.2
10+
$1.4
$14
100+
$0.95
$95
500+
$0.75
$375
1000+
$0.71
$710
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
80 V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
28.5 nC @ 10 V
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
7.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
8mOhm @ 10A, 10V
المورد الجهاز الحزمة
PowerPAK® 1212-8S
الحزمة / العلبة
PowerPAK® 1212-8S
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
16.9A (Ta), 58.1A (Tc)
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
1380 pF @ 40 V
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code