تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
190W (Tc)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
650 V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
42 nC @ 10 V
المورد الجهاز الحزمة
TO-247
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
24A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
115mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.5V @ 1.02mA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
2280 pF @ 300 V