TP65H015G5WS
Part Number:
TP65H015G5WS
Category:
-
Manufacturer:
Description:
650 V 95 A GAN FET
Encapsulation:
Package:
Tube
Quantity:
2105
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$35.48
$35.48
30+
$23.77
$713.1
120+
$23.65
$2838
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
نوع FET
N-Channel
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / العلبة
TO-247-3
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
650 V
المورد الجهاز الحزمة
TO-247-3
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
93A (Tc)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
100 nC @ 10 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
266W (Tc)
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
18mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.8V @ 2mA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
5218 pF @ 400 V
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code