TP65H035G4QS
Part Number:
TP65H035G4QS
Category:
-
Manufacturer:
Description:
650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
3249
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$20.58
$20.58
10+
$14.68
$146.8
100+
$13.97
$1397
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 10 V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
650 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
156W (Tc)
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
الحزمة / العلبة
8-PowerSFN
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
1500 pF @ 400 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
46.5A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.8V @ 1mA
المورد الجهاز الحزمة
TOLL
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code