TP65H035G4WSQA
Part Number:
TP65H035G4WSQA
Category:
-
Manufacturer:
Description:
650 V 46.5 GAN FET
Encapsulation:
Package:
Tube
Quantity:
1643
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$22.13
$22.13
30+
$13.92
$417.6
120+
$13.32
$1598.4
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
نوع FET
N-Channel
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف
Automotive
التأهيل
AEC-Q101
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 10 V
الحزمة / العلبة
TO-247-3
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
650 V
المورد الجهاز الحزمة
TO-247-3
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
187W (Tc)
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
1500 pF @ 400 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.8V @ 1mA
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
47.2A (Tc)
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code