TP65H050G4BS
Part Number:
TP65H050G4BS
Category:
-
Manufacturer:
Description:
650 V 34 A GAN FET
Encapsulation:
Package:
Tube
Quantity:
543
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$15.82
$15.82
50+
$9.1
$455
100+
$8.45
$845
500+
$8.13
$4065
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 10 V
الحزمة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
650 V
المورد الجهاز الحزمة
TO-263
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
34A (Tc)
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
119W (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.8V @ 700µA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
1000 pF @ 400 V
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code