TP65H050G4YS
Part Number:
TP65H050G4YS
Category:
-
Manufacturer:
Description:
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Encapsulation:
Package:
Tube
Quantity:
1921
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$12.46
$12.46
10+
$9.83
$98.3
450+
$9.31
$4189.5
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
نوع FET
N-Channel
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 10 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
35A (Tc)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
650 V
الحزمة / العلبة
TO-247-4
المورد الجهاز الحزمة
TO-247-4L
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
132W (Tc)
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.8V @ 700µA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
1000 pF @ 400 V
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code