TP65H070G4QS-TR
Part Number:
TP65H070G4QS-TR
Category:
-
Manufacturer:
Description:
650 V 29 A GAN FET
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
2880
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$10.77
$10.77
10+
$7.4
$74
100+
$6.03
$603
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
650 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
29A (Tc)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
96W (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
85mOhm @ 16A, 10V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.4 nC @ 10 V
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
الحزمة / العلبة
8-PowerSFN
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.8V @ 700µA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
600 pF @ 400 V
المورد الجهاز الحزمة
TOLL
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code