TP65H070G4RS-TR
Part Number:
TP65H070G4RS-TR
Category:
-
Manufacturer:
Description:
650 V 29 A GAN FET
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
3305
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$10.43
$10.43
10+
$6.73
$67.3
100+
$6.19
$619
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
650 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
29A (Tc)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
96W (Tc)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
85mOhm @ 18A, 10V
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.8V @ 700µA
الحزمة / العلبة
16-PowerSOP Module
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
638 pF @ 400 V
المورد الجهاز الحزمة
TOLT
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code