TP65H150G4PS
Part Number:
TP65H150G4PS
Category:
-
Manufacturer:
Description:
GAN FET N-CH 650V TO-220
Encapsulation:
Package:
Tube
Quantity:
1916
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$7.03
$7.03
50+
$3.78
$189
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
نوع FET
N-Channel
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
المورد الجهاز الحزمة
TO-220AB
الحزمة / العلبة
TO-220-3
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
16A (Tc)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
650 V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8 nC @ 10 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
83W (Tc)
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
4.8V @ 500µA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
598 pF @ 400 V
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code