TP65H300G4LSGB-TR
Part Number:
TP65H300G4LSGB-TR
Category:
-
Manufacturer:
Description:
GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
4382
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$4.6
$4.6
10+
$3.03
$30.3
100+
$2.13
$213
500+
$1.94
$970
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
6.5A (Tc)
Vgs (الحد الأقصى)
±12V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
650 V
الحزمة / العلبة
8-VDFN Exposed Pad
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
21W (Tc)
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.8 nC @ 10 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
730 pF @ 400 V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.8V @ 500µA
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
6V
المورد الجهاز الحزمة
8-PQFN (8x8)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
312mOhm @ 6.5A, 6V
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code