TP65H480G4JSGB-TR
Part Number:
TP65H480G4JSGB-TR
Category:
-
Manufacturer:
Description:
GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
5466
RoHS Status:
Supported
PDF:
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$3.78
$3.78
10+
$1.93
$19.3
100+
$1.65
$165
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (الحد الأقصى)
±10V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
3.6A (Tc)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
650 V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5 nC @ 10 V
الحزمة / العلبة
8-PowerTDFN
المورد الجهاز الحزمة
8-PQFN (5x6)
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.8V @ 500µA
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
13.2W (Tc)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
6V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
560mOhm @ 3A, 6V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
414 pF @ 400 V
Latest Products
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scan QR Code