نوع التثبيت
Surface Mount
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.5V @ 250µA
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
4.5V, 10V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
48 nC @ 10 V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
40 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
100A (Tc)
الحزمة / العلبة
8-PowerTDFN
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 23A, 10V
المورد الجهاز الحزمة
DFN5060
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
55.5W
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
2979 pF @ 25 V