نوع التثبيت
Surface Mount
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
100 V
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
4.5V, 10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
3V @ 250µA
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
3.13W (Ta)
الحزمة / العلبة
8-PowerTDFN
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
2600 pF @ 50 V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
46.4 nC @ 10 V
المورد الجهاز الحزمة
8-PMPAK (3x3)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
135mOhm @ 3A, 10V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
3.4A (Ta), 9.5A (Tc)