XP231P02013R-G
XP231P02013R-G
XP231P02013R-G
Part Number:
XP231P02013R-G
Category:
-
Manufacturer:
Description:
MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
4515
RoHS Status:
Supported
Share:
RFQ
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$0.26
$0.26
10+
$0.18
$1.8
100+
$0.09
$9
500+
$0.08
$40
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
نوع FET
P-Channel
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
350mW (Ta)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
30 V
Vgs (الحد الأقصى)
±8V
الحزمة / العلبة
SC-70, SOT-323
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
2.5V, 4.5V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
1.2V @ 250µA
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
200mA (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
5Ohm @ 100mA, 4.5V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
34 pF @ 10 V
المورد الجهاز الحزمة
SOT-323-3A
Latest Products
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-