Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Chassis Mount
Temperatura de Operación
-40°C ~ 80°C
Método de detección
Through-Beam
Configuración de Salida
Phototransistor
Corriente - Directa de Avance (If) (Máx)
50 mA
Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx)
30 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
1 mA
Distancia de detección
0.900" (22.86mm)
Paquete / Carcasa
Slotted Module, 4-Lead Dual Row