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2SJ182STR-E
2SJ182STR-E
2SJ182STR-E
Référence :
2SJ182STR-E
Catégorie :
-
Fabricant :
Renesas Electronics Corporation
Description :
PCH POWER MOSFET -60V -3A 400MOH
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
2SJ182STR-E
Demande de devis
Stock
Quantité min. : 3000
Qté
Prix
Total
3000+
$2.98
$8940.01
Paramètres du produit
Statut de la pièce
Last Time Buy
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Tension Drain-Source (Vdss)
60 V
Température de fonctionnement
150°C
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Dissipation de puissance (Max)
20W (Ta)
Fournisseur Dispositif Emballage
DPAK-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 2A, 10V
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